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FQA16N50	文件：754.87 Kbytes Page：8 Pages	500V N-Channel MOSFET Features • 16A, 500V, RDS(on) = 0.32Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 60 nC) • Low Crss ( typical 35 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability 文件：754.87 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQA16N50	文件：362.74 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.32Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：362.74 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQA16N50	文件：438.39 Kbytes Page：8 Pages	Optimized Switch for Discontinuous Current Mode Power Factor Correction 文件：438.39 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQA16N50	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多FQA16N50供应商更新时间2026-1-19 13:36:00