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AOT42S60	文件：258.1 Kbytes Page：6 Pages	600V 37A a MOS Power Transistor General Description The AOT42S60 & AOB42S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability th 文件：258.1 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT42S60	文件：290.01 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：290.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOT42S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V 37A a MOS Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOT42S60L	文件：511.62 Kbytes Page：6 Pages	600V 37A a MOS General Description The AOT42S60 & AOB42S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability th 文件：511.62 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT42S60L	文件：529.06 Kbytes Page：6 Pages	600V 37A a MOS TM Power Transistor General Description The AOT42S60L & AOB42S60L have been fabricated using the advanced aMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capabilit 文件：529.06 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT42S60L	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 37A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
TO220
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
37
PD @ 25°C (W)：
417
10V：
109
Qg (10V)(nC)：
40
VGS(th) max (V)：
3.80
Ciss (pF)：
2154
Coss (pF)：
135
Crss (pF)：
2.70
Qgd (nC)：
11.90
Trr (ns)：
473
Qrr (nC)：
10.50
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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