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AOT42S60L	文件：511.62 Kbytes Page：6 Pages	600V 37A a MOS GeneralDescription TheAOT42S60&AOB42S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilityth	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT42S60L	文件：529.06 Kbytes Page：6 Pages	600V 37A a MOS TM Power Transistor GeneralDescription TheAOT42S60L&AOB42S60Lhavebeenfabricated usingtheadvancedaMOSTMhighvoltageprocessthatis designedtodeliverhighlevelsofperformanceand robustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),Qg andEOSSalongwith guaranteedavalanchecapabilit	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF42S60	文件：127.65 Kbytes Page：1 Pages	PACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF42S60	文件：36.63 Kbytes Page：5 Pages	600V42AaMOSTMPowerTransistor Thisreportappliesfor600V42AαMOSTMPowerTransistorAOTF42S60. AOTF42S60hasbeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguara	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF42S60	文件：280.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Besuitableforsynchronousrectificationforserverand generalpurposeapplications •FEATURES •DrainCurrent–ID=39A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=99mΩ(Max) •100avalanchetested •Minimum	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOTF42S60L	文件：127.65 Kbytes Page：1 Pages	PACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF42S60L	文件：280.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Besuitableforsynchronousrectificationforserverand generalpurposeapplications •FEATURES •DrainCurrent–ID=39A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=99mΩ(Max) •100avalanchetested •Minimum	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
AOT42S60L
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 39A TO220
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
aMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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