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AOT266L	文件：347.54 Kbytes Page：7 Pages	60V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAOT266L&AOB266L&AOTF266LusesTrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),Cissa	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT266L	文件：289.38 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT266L	文件：1.09919 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOTF266L	文件：347.54 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT266L&AOB266L&AOTF266LusesTrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),Cissa	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF266L	文件：1.31534 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOTF266L	文件：279.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AT-266	文件：66.26 Kbytes Page：2 Pages	DigitalAttenuator,1Bit,10dBStepDC-2.0GHz Description M/A-COM’sAT-266isa1bit,10dBstepGaAsMMICDigitalAttenuatorinalowcostSOT-25surfacemountplasticpackage.TheAT-266isideallysuitedforusewherehighaccuracy,verylowpowerconsumptionandlowintermodulationproductsarerequired.Typicalapplicationsincluderad	MACOM Tyco Electronics	MACOM
AT-266	文件：218.75 Kbytes Page：3 Pages	DigitalAttenuator,1-Bit,10dBStep,DC-2.0GHz	MACOM Tyco Electronics	MACOM
AT-266	文件：126.03 Kbytes Page：3 Pages	DigitalAttenuator,1Bit,10dBStepDC-2.0GHz Description M/A-COM’sAT-266isa1bit,10dBstepGaAsMMICdigitalattenuatorinalowcostSOT-25surfacemountplasticpackage.TheAT-266isideallysuitedforusewherehighaccuracy,verylowpowerconsumptionandlowintermodulationproductsarerequired.Typicalapplicationsincluderad	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
AT-266RTR	文件：66.26 Kbytes Page：2 Pages	DigitalAttenuator,1Bit,10dBStepDC-2.0GHz Description M/A-COM’sAT-266isa1bit,10dBstepGaAsMMICDigitalAttenuatorinalowcostSOT-25surfacemountplasticpackage.TheAT-266isideallysuitedforusewherehighaccuracy,verylowpowerconsumptionandlowintermodulationproductsarerequired.Typicalapplicationsincluderad	MACOM Tyco Electronics	MACOM

详细参数

型号：
AOT266L
功能描述：
MOSFET N CH 60V 140A TO220
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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