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AOT266L	文件：347.54 Kbytes Page：7 Pages	60V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAOT266L&AOB266L&AOTF266LusesTrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),Cissa	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOT266L	文件：289.38 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOT266L	文件：1.09919 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
266	文件：335.2 Kbytes Page：1 Pages	T-13/4STANDARDMIDGETGROOVE	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
266	文件：121.23 Kbytes Page：1 Pages	Holder/No.266/Holder/No.268	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
266X	文件：68.76 Kbytes Page：2 Pages	3M??LappingFilmAluminumOxide254X	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
AH266	文件：215.54 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEHALLEFFECTLATCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
AH266	文件：165.13 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageHallEffectLatch GeneralDescription AH266isanintegratedHallsensorwithoutputdriversdesignedforelectroniccommutationofbrush-lessDCmotorapplications.Thedeviceincludesanon-chipHallvoltagegeneratorformagneticsensing,acomparatorthatamplifiestheHallvoltage,andaSchmitttriggertopr	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司
AH266	文件：189.79 Kbytes Page：11 Pages	HIGHVOLTAGEHALLEFFECTLATCH	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司
AH266	文件：58.99 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGEHALLEFFECTLATCH	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司
AH266	文件：195.54 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEHALLEFFECTLATCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
AH266K-PG-B-A	文件：195.54 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEHALLEFFECTLATCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
AH266K-PG-B-B	文件：195.54 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEHALLEFFECTLATCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
AH266K-PL-B-A	文件：195.54 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEHALLEFFECTLATCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
AH266K-PL-B-B	文件：195.54 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEHALLEFFECTLATCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
AN266	文件：1.02828 Mbytes Page：8 Pages	VCXOTUNINGSLOPE,STABILITY,ANDABSOLUTEPULLRANGE	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司
AOB266L	文件：315.4 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOB266L	文件：347.54 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT266L&AOB266L&AOTF266LusesTrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),Cissa	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOB266L	文件：1.43838 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AOTF266L	文件：1.31534 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

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详细参数

型号：
AOT266L
功能描述：
MOSFET N CH 60V 140A TO220
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AOT266L供应商更新时间2024-4-26 15:10:00

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