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AOT27S60L	文件：542.28 Kbytes Page：7 Pages	600V 27A a MOS GeneralDescription TheAOT27S60&AOB27S60&AOTF27S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanche	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB27S60	文件：244.14 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOB27S60	文件：301.02 Kbytes Page：6 Pages	600V27AaMOSPowerTransistor GeneralDescription TheAOT27S60&AOB27S60&AOTF27S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanche	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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AOK27S60	文件：249.65 Kbytes Page：6 Pages	600V27AaMOSPowerTransistor GeneralDescription TheAOK27S60hasbeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilitythispartcanbea	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOK27S60L	文件：405.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Besuitableforsynchronousrectificationforserverand generalpurposeapplications •FEATURES •DrainCurrent–ID=27A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.16Ω(Max) •100avalanchetested •Minimum	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOK27S60L	文件：478.52 Kbytes Page：6 Pages	600V27AaMOS GeneralDescription TheAOK27S60hasbeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilitythispartcanbea	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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AOT27S60	文件：289.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOTF27S60	文件：542.28 Kbytes Page：7 Pages	600V27AaMOS GeneralDescription TheAOT27S60&AOB27S60&AOTF27S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanche	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AOT27S60L
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 27A TO220
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
aMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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