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AOTF27S60	文件：301.02 Kbytes Page：6 Pages	600V 27A a MOS Power Transistor General Description The AOT27S60& AOB27S60 & AOTF27S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche 文件：301.02 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF27S60	文件：542.28 Kbytes Page：7 Pages	600V 27A a MOS General Description The AOT27S60& AOB27S60 & AOTF27S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche 文件：542.28 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF27S60	文件：280.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：280.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOTF27S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AOTF27S60L	文件：542.28 Kbytes Page：7 Pages	600V 27A a MOS General Description The AOT27S60& AOB27S60 & AOTF27S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche 文件：542.28 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF27S60L	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 20A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Status：
Full Production
Package：
TO220F
Configuration：
Single - N
Vds/V：
600
Vgs/V：
30
Id(A)(25℃)：
27
Id(A)(75℃)：
17
Pd(W)(25℃)：
40
Pd(W)(75℃)：
0.3
Rds (on) mΩ max(10V)：
0.16
Qg (nC)：
26

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AOTF27S60供应商更新时间2026-1-17 10:21:00

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