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AOTF27S60L	文件：542.28 Kbytes Page：7 Pages	600V 27A a MOS GeneralDescription TheAOT27S60&AOB27S60&AOTF27S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanche	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF27S60L	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V); 600V 20A αMOS™ Power Transistor\n	AOSAlpha & Omega Semiconductor（AOS）美国万代美国万代半导体	AOS
AOB27S60	文件：244.14 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOB27S60	文件：301.02 Kbytes Page：6 Pages	600V27AaMOSPowerTransistor GeneralDescription TheAOT27S60&AOB27S60&AOTF27S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanche	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB27S60L	文件：542.28 Kbytes Page：7 Pages	600V27AaMOS GeneralDescription TheAOT27S60&AOB27S60&AOTF27S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanche	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOK27S60	文件：249.65 Kbytes Page：6 Pages	600V27AaMOSPowerTransistor GeneralDescription TheAOK27S60hasbeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilitythispartcanbea	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOK27S60L	文件：478.52 Kbytes Page：6 Pages	600V27AaMOS GeneralDescription TheAOK27S60hasbeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilitythispartcanbea	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOK27S60L	文件：405.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Besuitableforsynchronousrectificationforserverand generalpurposeapplications •FEATURES •DrainCurrent–ID=27A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.16Ω(Max) •100avalanchetested •Minimum	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT27S60	文件：289.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT27S60	文件：301.02 Kbytes Page：6 Pages	600V27AaMOSPowerTransistor GeneralDescription TheAOT27S60&AOB27S60&AOTF27S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanche	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO220F
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
27
PD @ 25°C (W)：
50
10V：
160
Qg (10V)(nC)：
26
VGS(th) max (V)：
4
Ciss (pF)：
1294
Coss (pF)：
80
Crss (pF)：
2.30
Qgd (nC)：
8.80
Trr (ns)：
440
Qrr (nC)：
7.50
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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