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AOT482L	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V); 80V N-Channel MOSFET SDMOS TM\n	AOSAlpha & Omega Semiconductor（AOS）美国万代美国万代半导体	AOS
AOT482L	文件：305.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT482L	文件：1.41177 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOT482L	文件：275.43 Kbytes Page：7 Pages	80V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOW482	文件：260.459 Kbytes Page：7 Pages	80VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOW482isfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatechargeandlowQrr.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgeneralpurpos	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOW482	文件：342.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BA482	文件：33.64 Kbytes Page：5 Pages	Band-switchingdiodes DESCRIPTION Planarhighperformanceband-switchingdiodeinahermeticallysealedglassSOD68(DO-34)package. FEATURES •Continuousreversevoltage:max.35V •Continuousforwardcurrent:max.100mA •Lowdiodecapacitance:max.1.0to1.6pF •Lowdiodeforwardresistance:	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BA482	文件：116.46 Kbytes Page：3 Pages	Band-switchingdiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFS482	文件：53.41 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlow-noise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA.) NPNSiliconRFTransistor •Forlow-noise.high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.2mAto20mA •fT=8GHz F=1.2dBat900MHz •Two(galvanic)internalisolatedTransistorsinonepackage	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFS482	文件：62.16 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor •Forlow-noise.high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.2mAto20mA •fT=8GHz F=1.2dBat900MHz •Two(galvanic)internalisolatedTransistorsinonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

技术参数

Package：
TO220
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
80
VGS (±V)：
25
10V：
7.20
7V：
9
ID @ 25°C (A)：
105
PD @ 25°C (W)：
333
Qg (10V)(nC)：
66.80
VGS(th) max (V)：
3.70
Ciss (pF)：
4054
Coss (pF)：
458
Crss (pF)：
160
Qgd (nC)：
20.20
tD(on) (ns)：
26
tD(off) (ns)：
48
Trr (ns)：
26
Qrr (nC)：
108
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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