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FDB603AL	文件：414.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD603AL	文件：237.55 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD603AL	文件：352.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=23mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP603AL	文件：332.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP603AL	文件：414.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FG603	文件：198.82 Kbytes Page：2 Pages	6.0AmpMINIATUREPLASTICSILICONRECTIFIERSLOWCOSTLOWLEAKAGE	FCI Amphenol ICC	FCI
FGM603	文件：175.58 Kbytes Page：4 Pages	SelectionGuide SANKENIGBT FGT313,FGT312,FGT412,FGT612,FGM622S,FGM603,FGM623S,MGD623N,MGD623S	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
FR603	文件：235.84 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMPFASTRECOVERYRECTIFIERS	YIXINShenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd. 壹芯微深圳市壹芯微科技有限公司	YIXIN
FR603	文件：178.54 Kbytes Page：1 Pages	6.0AMPS.FASTRECOVERYRECTIFIERS	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
FR603	文件：59.02 Kbytes Page：2 Pages	6.0AFASTRECOVERYRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FR603	文件：397.4 Kbytes Page：3 Pages	6AmpFastRecoveryRectifier50to1000Volts	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
FR603	文件：98.54 Kbytes Page：2 Pages	6.0AFASTRECOVERYDIODE Features ●DiffusedJunction ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●HighReliability ●HighSurgeCurrentCapability	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
FR603	文件：835.18 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERS Features ●DiffusedJunction ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●HighReliability ●HighSurgeCurrentCapability	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
FR603	文件：223.13 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMP.FastRecoveryRectifiers Features ◇Highefficiency,LowVF ◇Highcurrentcapability ◇Highreliability ◇Highsurgecurrentcapability ◇Lowpowerloss.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
FR603	文件：180.87 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryRectifier	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
FR603	文件：95.95 Kbytes Page：3 Pages	6AmpFastRecoveryRectifier50to1000Volts Features •LowCost •LowLeakage •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •FastSwitchingSpeedForHighEfficiency	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
FR603	文件：132.53 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryRectifier	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
FR603	文件：28.73 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMPFASTRECOVERYRECTIFIERS VOLTAGERANGE:50to1000VOLTS FEATURES •Lowcost •Diffusedjunction •LowLeakage •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •EasilycleanedwithFreon.Alcohol.Lsopropanolandsimilarsolvents •TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-O	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
FR603	文件：239.71 Kbytes Page：4 Pages	6AmpFastRecoveryRectifier50to1000Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
FR603	文件：95.29 Kbytes Page：1 Pages	LEADED(THRU-HOLE)GeneralPurpose&FastRecoveryRectifiers LEADED(THRU-HOLE) GeneralPurpose&FastRecoveryRectifiers GENERALPURPOSERECTIFIERS(IncludingGlassPassivated,useGsuffix)OperatingTemperature:-65°Cto125° FASTRECOVERYOperatingTemperature:-65°Cto125°C	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE

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详细参数

型号：
AOD603
功能描述：
MOSFET COMPL 60V 3.5A TO252-4L
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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