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AOI2N60 | 600V, 2A N-Channel MOSFET 文件:114.45 Kbytes 页数:5 Pages | AOSMD 万国半导体 | AOSMD | |
AOI2N60 | 丝印:IPAK;Package:TO-251;isc N-Channel MOSFET Transistor 文件:317.85 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
AOI2N60 | 高压MOSFET (500V - 1000V) 600V, 2A N-Channel MOSFET | AOS 美国万代 | AOS | |
丝印:IPAK;Package:TO-251;isc N-Channel MOSFET Transistor 文件:317.97 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
600V,2A N-Channel MOSFET 文件:434.36 Kbytes 页数:6 Pages | AOSMD 万国半导体 | AOSMD | ||
600V,2A N-Channel MOSFET 文件:2.64038 Mbytes 页数:6 Pages | AOSMD 万国半导体 | AOSMD | ||
高压MOSFET (500V - 1000V) 600V,2A N-Channel MOSFET | AOS 美国万代 | AOS |
技术参数
- Package:
TO251A
- Configuration:
Single
- Polarity:
N
- VDS (V):
600
- VGS (±V):
30
- ID @ 25°C (A):
2
- PD @ 25°C (W):
56.80
- 10V:
4400
- Qg (10V)(nC):
9.50
- VGS(th) max (V):
4.50
- Ciss (pF):
270
- Coss (pF):
29
- Crss (pF):
2.80
- Qgd (nC):
4.70
- tD(on) (ns):
17.20
- tD(off) (ns):
27
- Trr (ns):
154
- Qrr (nC):
800
- Qualification:
Industrial
- ESD Diode:
No
- Tj max (°C):
150
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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AOS/万代 |
25+ |
TO-251 |
32360 |
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AOS/万代 |
2019+ |
TO-251 |
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原厂渠道 可含税出货 |
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AOS/万代 |
24+ |
TO-251A |
333888 |
专业直销原装AOS一系列可订货 |
询价 | ||
AOS |
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TO-251 |
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TO251 |
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只做原装正品 |
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AOS/万代 |
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TO-251A |
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AOS/万代 |
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TO-251A |
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AOS |
25+ |
TO-251 |
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更新时间2025-10-8 14:14:00
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