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AOI4N60	文件：539.45 Kbytes Page：6 Pages	600V,4A N-Channel MOSFET 文件：539.45 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOI4N60	文件：1.07713 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：1.07713 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOI4N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V,4A N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AOT4N60	文件：158.26 Kbytes Page：6 Pages	600V, 4A N-Channel MOSFET 文件：158.26 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT4N60	文件：305.57 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：305.57 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOT4N60	文件：454.49 Kbytes Page：6 Pages	600V,4A N-Channel MOSFET 文件：454.49 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO251A
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
4
PD @ 25°C (W)：
104
10V：
2300
Qg (10V)(nC)：
12
VGS(th) max (V)：
4.50
Ciss (pF)：
528
Coss (pF)：
53
Crss (pF)：
4.80
Qgd (nC)：
4.40
tD(on) (ns)：
17
tD(off) (ns)：
34
Trr (ns)：
190
Qrr (nC)：
2400
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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更多AOI4N60供应商更新时间2025-12-23 16:04:00

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