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AOI4C60	文件：330.46 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.95Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：330.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOI4C60	文件：94.58 Kbytes Page：1 Pages	TO251 PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：94.58 Kbytes 页数：1 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
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更多AOI4C60供应商更新时间2025-10-4 13:31:00