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AOD603	文件：219.35 Kbytes Page：9 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：219.35 Kbytes 页数：9 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD603	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N+P-Channel MOSFET 类型: N沟道+P沟道漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 20A	XBLW 芯伯乐	XBLW
AOD603	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管	HXY MOSFET 华轩阳电子	HXY MOSFET
AOD603	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	MTW 美台微	MTW
AOD603A	文件：397.93 Kbytes Page：11 Pages	60V Complementary MOSFET General Description The AOD603A uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. Product Summary N-Channel P-Channel VDS= 60V - 文件：397.93 Kbytes 页数：11 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD603A	文件：1.15089 Mbytes Page：11 Pages	丝印：D-PAK；Package：TO-252；N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested APPLICATIONS • CCFL Inverter 文件：1.15089 Mbytes 页数：11 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOD603L	文件：219.35 Kbytes Page：9 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：219.35 Kbytes 页数：9 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

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更多AOD603供应商更新时间2026-4-19 10:02:00