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AOI409	文件：319.6 Kbytes Page：2 Pages	Marking：IPAK；Package：TO-251；isc P-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •WithTO-251(IPAK)packaging •Highspeedswitching •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •DC-DCconverters •Motorcontrol •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOI409	文件：1.3486 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： ThisP-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=-60V,ID=-35A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOI409	文件：243 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF409	文件：155.9 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOTF409/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.WiththeexcellentthermalresistanceoftheTO220FLpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.AOTF409andAOTF409Lareelectricall	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF409	文件：317.54 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220Fpackaging •Highspeedswitching •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •PFCstages •LCD&PDPTV •Powersupply •Swi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOTF409	文件：946.8 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOTF409L	文件：155.9 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOTF409/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.WiththeexcellentthermalresistanceoftheTO220FLpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.AOTF409andAOTF409Lareelectricall	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AP409	文件：422.55 Kbytes Page：7 Pages	MMIC	RFHIC rfhic	RFHIC
AQR409	文件：372.7 Kbytes Page：2 Pages	Gen2EthernetPHYs	AQUANTIA AQUANTIA CORP.	AQUANTIA
AR409PC	文件：234.67 Kbytes Page：4 Pages	RECTIFIERDIODE RECTIFIERDIODE Repetitivevoltageupto600V Meanforwardcurrent3863A Surgecurrent30kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO

详细参数

型号：
AOI409
功能描述：
MOSFET P-CH 60V 26A TO251A
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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