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AOI8N25	文件：379.59 Kbytes Page：6 Pages	250V,8A N-Channel MOSFET 文件：379.59 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOI8N25	文件：317.89 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：317.89 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOI8N25	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 250V,8A N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
FQB8N25	文件：593.85 Kbytes Page：9 Pages	250V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：593.85 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQD8N25	文件：602.63 Kbytes Page：9 Pages	250V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：602.63 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQD8N25	文件：304.96 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=6.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.55Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：304.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Package：
TO251A
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
250
VGS (±V)：
30
10V：
560
ID @ 25°C (A)：
8
PD @ 25°C (W)：
78
Qg (10V)(nC)：
6
VGS(th) max (V)：
4.30
Ciss (pF)：
306
Coss (pF)：
51
Crss (pF)：
3.20
Qgd (nC)：
1.50
tD(on) (ns)：
14
tD(off) (ns)：
23
Trr (ns)：
77
Qrr (nC)：
290
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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