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AOI478	文件：427.66 Kbytes Page：6 Pages	100V N-Channel MOSFET General Description The AOD478/AOI478 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R DS(ON). This device is ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer, telecom, industrial power supplies and LED backlighting. Product Su 文件：427.66 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOI478	文件：318.03 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：318.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOI478	文件：703.94 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：703.94 Kbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AOI478	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 100V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
TO251A
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
100
VGS (±V)：
20
10V：
140
4.5V：
152
ID @ 25°C (A)：
11
PD @ 25°C (W)：
45
Qg (10V)(nC)：
10.30
Qg (4.5V)(nC)：
5.10
VGS(th) max (V)：
2.80
Ciss (pF)：
445
Coss (pF)：
29
Crss (pF)：
16
Qgd (nC)：
2.40
tD(on) (ns)：
8
tD(off) (ns)：
17
Trr (ns)：
21
Qrr (nC)：
97
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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