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AOD7N60	文件：393 Kbytes Page：6 Pages	600V,7A N-Channel MOSFET 文件：393 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD7N60	文件：309.96 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD7N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V,7A N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
MGP7N60E	文件：122.09 Kbytes Page：6 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Its new 600 V IGBT technology is specifically suited for applications requiring both a high temperature short circuit capability and a low VCE(on) 文件：122.09 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MGP7N60E	文件：118.14 Kbytes Page：5 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Its new 600 V IGBT technology is specifically suited for applications requiring both a high temperature short circuit capability and a low VCE(on) 文件：118.14 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MGP7N60ED	文件：144.18 Kbytes Page：6 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor withr Anti-Parallel Diode This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co–packaged with a soft recovery ultra–fast rectifier and uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Its new 600 V IGBT technology is specifically suited for applications requiring both 文件：144.18 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Package：
TO252
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
7
PD @ 25°C (W)：
178
10V：
1300
Qg (10V)(nC)：
19.30
VGS(th) max (V)：
4.50
Ciss (pF)：
975
Coss (pF)：
88
Crss (pF)：
7.30
Qgd (nC)：
6.90
tD(on) (ns)：
25
tD(off) (ns)：
58
Trr (ns)：
388
Qrr (nC)：
4400
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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