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AOD452L	文件：121.91 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOD452usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications. StandardproductAOD452isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI452	文件：959.9 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®GenIIIPowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •DC/DCConversion -SystemPower	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOI452	文件：479.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOI452usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOI452isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). Fea	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI452	文件：329.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOI452A	文件：959.91 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®GenIIIPowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •DC/DCConversion -SystemPower	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOI452A	文件：297.41 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSDMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOI452AisfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplicati	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI452A	文件：329.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.3mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOU452	文件：74.19 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU452usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU452isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU452	文件：352.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOU452A	文件：959.91 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®GenIIIPowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •DC/DCConversion -SystemPower	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
AOD452L
制造商：
AOSMD
制造商全称：
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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