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AOD609	文件：254.2 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOD609/L uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. AOD609 and AOD609L are electrically identical. -RoHS Compliant -AOD609L is Halogen Free 文件：254.2 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD609	文件：1.30269 Mbytes Page：13 Pages	丝印：D-PAK；Package：TO-252-4L；N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested APPLICATIONS • CCFL Inverter 文件：1.30269 Mbytes 页数：13 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOD609	文件：275.44 Kbytes Page：9 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：275.44 Kbytes 页数：9 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD609	文件：300 bytes Page：1 Pages	互补型功率MOSFETs Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOD609	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	MTW 美台微	MTW
AOD609	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管	HXY MOSFET 华轩阳电子	HXY MOSFET
AOD609_09	文件：275.44 Kbytes Page：9 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：275.44 Kbytes 页数：9 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

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