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AOD478	文件：427.66 Kbytes Page：6 Pages	100V N-Channel MOSFET General Description The AOD478/AOI478 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R DS(ON). This device is ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer, telecom, industrial power supplies and LED backlighting. Product Su 文件：427.66 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD478	文件：480.5 Kbytes Page：6 Pages	丝印：D478；Package：TO-252；100V N-Channel MOSFET Product Summary •ID (at VGS=10V) 11A • VDS=100V • RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：480.5 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AOD478	文件：309.83 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD478	文件：1.07516 Mbytes Page：6 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；11Ampere,100Volt Surface Mount Package N-Channel Power MOSFET 文件：1.07516 Mbytes 页数：6 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
AOD478	文件：1.00799 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.00799 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOD478	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 100V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AOD478	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管	HXY MOSFET 华轩阳电子	HXY MOSFET
AOD478	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-ch Fast Switching MOSFET	MTW 美台微	MTW

技术参数

Package：
TO252
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
100
VGS (±V)：
20
10V：
140
4.5V：
152
ID @ 25°C (A)：
11
PD @ 25°C (W)：
45
Qg (10V)(nC)：
10.30
Qg (4.5V)(nC)：
5.10
VGS(th) max (V)：
2.80
Ciss (pF)：
445
Coss (pF)：
29
Crss (pF)：
16
Qgd (nC)：
2.40
tD(on) (ns)：
8
tD(off) (ns)：
17
Trr (ns)：
21
Qrr (nC)：
97
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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