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AOD486A	文件：118 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOD486A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge.This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. -RoHS Compliant -Halogen Free* Features VDS (V) = 40V ID = 50 A (VGS = 10V 文件：118 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD486A	文件：348.6 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 9.8mΩ(Max) ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·Designed for use in switch 文件：348.6 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD486A	文件：156.52 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：156.52 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD486A_08	文件：156.52 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：156.52 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD486A	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOS 美国万代	AOS

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更多AOD486A供应商更新时间2025-12-2 10:21:00