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AOD468	文件：312.23 Kbytes Page：6 Pages	300V,11.5A N-Channel MOSFET General Description The AOD468 & AOI468 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability the 文件：312.23 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD468	文件：310.11 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：310.11 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD468	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 300V,11.5A N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AOI468	文件：318.3 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：318.3 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOI468	文件：312.23 Kbytes Page：6 Pages	300V,11.5A N-Channel MOSFET General Description The AOD468 & AOI468 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability the 文件：312.23 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AT468	文件：3.62022 Mbytes Page：33 Pages	Accessories Hardware 文件：3.62022 Mbytes 页数：33 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

技术参数

Package：
TO252
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
300
VGS (±V)：
30
10V：
420
ID @ 25°C (A)：
11.50
PD @ 25°C (W)：
150
Qg (10V)(nC)：
12.80
VGS(th) max (V)：
4.50
Ciss (pF)：
632
Coss (pF)：
90
Crss (pF)：
7
Qgd (nC)：
4.30
tD(on) (ns)：
18
tD(off) (ns)：
36
Trr (ns)：
170
Qrr (nC)：
1300
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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