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AOI468	文件：312.23 Kbytes Page：6 Pages	300V,11.5A N-Channel MOSFET General Description The AOD468 & AOI468 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability the 文件：312.23 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOI468	文件：318.3 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：318.3 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOI468	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 300V, 11.5A N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
LN468YPH	文件：31.24 Kbytes Page：1 Pages	Square Type 文件：31.24 Kbytes 页数：1 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
NTE468	文件：21.06 Kbytes Page：2 Pages	Silicon N-Channel JFET Transistor Chopper, High Speed Switch Applications: • Analog Switches • Choppers • Commutators 文件：21.06 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE
PLVA468A	文件：22.68 Kbytes Page：5 Pages	Low-voltage avalanche regulator diodes DESCRIPTION High performance voltage regulator diodes in hermetically sealed leaded glass SOD27 (DO-35) packages. The series consists of PLVA450A to PLVA468A. FEATURES • Very low dynamic impedance at low currents: approximately 1⁄20 of conventional series • Hard breakdown knee • Low noise: a 文件：22.68 Kbytes 页数：5 Pages	PHI PHI	PHI

技术参数

Package：
TO251A
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
300
VGS (±V)：
30
10V：
420
ID @ 25°C (A)：
11.50
PD @ 25°C (W)：
150
Qg (10V)(nC)：
12.80
VGS(th) max (V)：
4.50
Ciss (pF)：
632
Coss (pF)：
90
Crss (pF)：
7
Qgd (nC)：
4.30
tD(on) (ns)：
18
tD(off) (ns)：
36
Trr (ns)：
170
Qrr (nC)：
1300
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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