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AOD607	文件：137.17 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOD607usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedinH-bridge,Invertersandotherapplications.StandardproductAOD607isPbfree(meetsROHS&Sony259specifications).AOD607Lisa	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD607	文件：215.37 Kbytes Page：9 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD607A	文件：562.16 Kbytes Page：11 Pages	30V Complementary MOSFET GeneralDescription •TrenchPowerMOSFETtechnology •LowRDS(ON) •LowGateCharge •ExcellentThermalPerformance •RoHSandHalogen-FreeCompliant Applications •Pch+NchComplementaryMOSFETforDC-FAN ProductSummary Q1Q2 VDS	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD607L	文件：137.17 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOD607usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedinH-bridge,Invertersandotherapplications.StandardproductAOD607isPbfree(meetsROHS&Sony259specifications).AOD607Lisa	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD607_08	文件：215.37 Kbytes Page：9 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOP607	文件：207.61 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOP607usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedinH-bridge,Invertersandotherapplications.StandardProductAOP607isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOP607Lisa	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOP607L	文件：207.61 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOP607usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedinH-bridge,Invertersandotherapplications.StandardProductAOP607isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOP607Lisa	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AT607	文件：44.75 Kbytes Page：4 Pages	PHASECONTROLTHYRISTOR PHASECONTROLTHYRISTOR Repetitivevoltageupto800V Meanon-statecurrent2585A Surgecurrent36kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
AT607	文件：3.62022 Mbytes Page：33 Pages	AccessoriesHardware	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
AT607	文件：3.43102 Mbytes Page：34 Pages	AccessoriesHardware [NKKSwitches] HardwareThreading Manyhardwarepiecesareavailableinbothmetricandinchthreading,andinsuchcasesM(metric)andH(inch)arenotedinthedescriptions.ThecustomermustselectthreadingbyplacinganMorHafterthebasicATpartnumber.Ifthehardwareisavailable	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

详细参数

型号：
AOD607
功能描述：
MOSFET COMPL 30V 12A TO252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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