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AOD464	文件：129.139 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOD464 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in high voltage synchronous rectification , load switching and general purpose applications. Standard Product AOD464 is Pb-free (meets ROHS 文件：129.139 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD464	文件：309.54 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 40A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 105V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 28mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-L 文件：309.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD464	文件：1.79237 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement MOSFET ■ Features ● VDS (V) =105V ● ID = 40A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.79237 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AOD464	文件：983.89 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFETS • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package 文件：983.89 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOD464	文件：152.91 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：152.91 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD464	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOD464L	文件：129.139 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOD464 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in high voltage synchronous rectification , load switching and general purpose applications. Standard Product AOD464 is Pb-free (meets ROHS 文件：129.139 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD464_10	文件：152.91 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：152.91 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO252
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
105
VGS (±V)：
25
10V：
28
6V：
31
ID @ 25°C (A)：
40
PD @ 25°C (W)：
100
Qg (10V)(nC)：
38.50
VGS(th) max (V)：
4
Ciss (pF)：
2038
Coss (pF)：
204
Crss (pF)：
85
Qgd (nC)：
10
tD(on) (ns)：
12.70
tD(off) (ns)：
31.50
Trr (ns)：
59.60
Qrr (nC)：
161
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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