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AOD458	文件：124.41 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOD458 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. Standard product AOD458 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOD4 文件：124.41 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD458	文件：309.58 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 14A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 250V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.28Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to- 文件：309.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD458	文件：266.73 Kbytes Page：6 Pages	250V,14A N-Channel MOSFET 文件：266.73 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD458	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 250V, 14A N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AOD458L	文件：124.41 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOD458 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. Standard product AOD458 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOD4 文件：124.41 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD458_11	文件：266.73 Kbytes Page：6 Pages	250V,14A N-Channel MOSFET 文件：266.73 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO252
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
250
VGS (±V)：
30
10V：
280
ID @ 25°C (A)：
14
PD @ 25°C (W)：
150
Qg (4.5V)(nC)：
12
VGS(th) max (V)：
4.50
Ciss (pF)：
637
Coss (pF)：
104
Crss (pF)：
7.10
Qgd (nC)：
4.60
tD(on) (ns)：
21
tD(off) (ns)：
29
Trr (ns)：
150
Qrr (nC)：
1240
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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