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厂商型号

AOD458

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

124.41 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

AOSMD

中文名称

万国半导体

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数据手册

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更新时间

2026-2-9 20:40:00

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AOD458规格书详情

General Description

The AOD458 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. Standard product AOD458 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOD458L is a Green Product ordering option. AOD458 and AOD458L are electrically identical.

特性 Features

VDS(V) = 30V

ID= 85A (VGS= 10V)

RDS(ON)< 4mΩ(VGS= 10V)

RDS(ON)

产品属性

  • 型号:

    AOD458

  • 功能描述:

    MOSFET N CH 250V 14A TO252

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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