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AOD496	文件：361.62 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤9.5mΩ •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •BesuitableforuseasahighsideswitchinSMPSand generalpurposeapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOD496	文件：123.18 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOD496usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasahighsideswitchinSMPSandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOD496isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD496Lisa	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOD496	文件：147.42 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOD496A	文件：309.46 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=57A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOD496A	文件：1.26875 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=30V,ID=55A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
AOD496_08	文件：147.42 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOD496A	文件：202.41 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOD496A	文件：495.85 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOD496A_11	文件：495.85 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
496	文件：72.44 Kbytes Page：1 Pages	BladeTerminal&SpecialPurposeFusel	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
496	文件：268.73 Kbytes Page：1 Pages	ROUNDINSTRUMENTATIONHANDLES [KEYSTONE] ROUNDINSTRUMENTATIONHANDLES FERRULES HANDLEMOUNTINGSCREWS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
A496	文件：654.22 Kbytes Page：16 Pages	MISCELLANEOUSHARDWARE-ACCESSORIES	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
AH496B	文件：673.01 Kbytes Page：8 Pages	LinearHallSensor	AHNJNANJING AH ELECTRONICS CO., LTD AH电子南京AH电子科技有限公司
AN496	文件：170.49 Kbytes Page：36 Pages	HIDUSB-TO-SMBUSAPISPECIFICATION	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司
AOI496	文件：331.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=53A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOI496	文件：959.9 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AOI496A	文件：959.91 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AOI496A	文件：331.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=53A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AT496	文件：3.62022 Mbytes Page：33 Pages	AccessoriesHardware	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
AT496	文件：3.43102 Mbytes Page：34 Pages	AccessoriesHardware [NKKSwitches] HardwareThreading Manyhardwarepiecesareavailableinbothmetricandinchthreading,andinsuchcasesM(metric)andH(inch)arenotedinthedescriptions.ThecustomermustselectthreadingbyplacinganMorHafterthebasicATpartnumber.Ifthehardwareisavailable	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商

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详细参数

型号：
AOD496
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 62A TO-252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	AOD496	AOS/万代	2019+	TO252	18000	原厂渠道可含税出货	询价
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更多AOD496供应商更新时间2024-4-28 13:30:00

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