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D-PARK	文件：351.27 Kbytes Page：3 Pages	型号：AM30N10；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=50mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •LEDbackl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
D-PARK	文件：361.62 Kbytes Page：2 Pages	型号：AOD496；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤9.5mΩ •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •BesuitableforuseasahighsideswitchinSMPSand generalpurposeapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
D-PARK	文件：358.9 Kbytes Page：2 Pages	型号：IRLR9343；Package：TO-252；isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
D-PARK	文件：362.05 Kbytes Page：2 Pages	型号：ISCNL179D；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
D-PARK	文件：362.24 Kbytes Page：2 Pages	型号：ISCNL180D；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
D-PARK	文件：361.79 Kbytes Page：2 Pages	型号：ISCNL181D；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
D-PARK	文件：363.07 Kbytes Page：2 Pages	型号：TK380P60Y；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

型号：
D-PARK
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 62A TO-252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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