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NTD6415ANL	文件：78.19 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD6415ANL	文件：127.16 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET100V,23A,56mLogicLevel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD6415ANL	文件：265.45 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET100V,23A,56m廓,LogicLevel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE6415	文件：17.89 Kbytes Page：2 Pages	BidirectionalThyristorDiodes(SIDAC) Description: TheNTE6415throughNTE6419SIDACdevicesaresiliconbilateralvoltagetriggeredswitcheswithgreaterpowerhandlingcapabilitiesthanstandardDIACs.UponapplicationofavoltageexceedingtheSIDACbreakovervoltagepoint,theSIDACswitchesonthroughanegativeresistancere	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
NVD6415AN	文件：238.28 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET–Power,N-Channel100V,23A,55m Features •LowRDS(on) •HighCurrentCapability •100AvalancheTested •NVDPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD6415ANL	文件：127.16 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET100V,23A,56mLogicLevel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PJS6415	文件：297.09 Kbytes Page：6 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJS6415A	文件：379.91 Kbytes Page：6 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-4.5V,ID@-5.2A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJS6415A-AU	文件：381.32 Kbytes Page：6 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-4.5V,ID@-5.2A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJS6415AE	文件：309.78 Kbytes Page：6 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET??ESDProtected	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PSU6415	文件：467.41 Kbytes Page：4 Pages	THAS231M150AA0C	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
PSU6415	文件：142.51 Kbytes Page：3 Pages	ACMotorStartCapacitorsNon-polarized,AluminumElectrolyticACMotorStartCapacitors Non-polarized,AluminumElectrolyticACMotorStartCapacitors TheTypePSUisacompactnon-polar,dualvoltagerated,ACmotorstartcapacitorconstructedinaroundruggedbakelitecase.Toextendthelifeofrelaycontactswitches,thePSUcanbepurchasedwithoptionalbleederresist	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
S6415	文件：129.81 Kbytes Page：1 Pages	Nytyes®withStainlessSteelLockingDevice	Heyco Heyco	Heyco
S6415	文件：129.52 Kbytes Page：1 Pages	Nytyes®withStainlessSteelLockingDevice	Heyco Heyco	Heyco
S6415	文件：123.27 Kbytes Page：1 Pages	9watt;pin-basedCompactFluorescent;2700K;82CRI;2G7base	SATCO SATCO	SATCO
SEL6415E	文件：426.75 Kbytes Page：2 Pages	3phiRoundNarrowViewingAngleLEDs	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
SEL6415E	文件：25.38 Kbytes Page：1 Pages	3phiRoundNarrow-directivityLED(DirectMount) 3φRoundNarrowViewingAngleLEDs SEL6015Series(availableasDirectMount)	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
SI6415DQ	文件：196.68 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFETs	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI6415DQ	文件：206.26 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI6415DQ	文件：204.61 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFETs	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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详细参数

型号：
AO6415
功能描述：
MOSFET P-CH 20V 3.3A TSOP-6
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AO6415供应商更新时间2024-5-14 15:34:00

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