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AO6415	文件：112.15 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO6415usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected.StandardProductAO6415isPb-free(meetsROH	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO6415	文件：1.72596 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-20V ●ID=-3.3A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO6415	文件：316.5 Kbytes Page：5 Pages	20V P-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO6415-HF	文件：2.02614 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-20V ●ID=-3.3A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO6415L	文件：112.15 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO6415usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected.StandardProductAO6415isPb-free(meetsROH	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO6415_11	文件：316.5 Kbytes Page：5 Pages	20V P-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO6415
功能描述：
MOSFET P-CH 20V 3.3A TSOP-6
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AO6415供应商更新时间2025-5-29 17:32:00

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