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厂商型号

AO6415

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

112.15 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

AOSMD

中文名称

万国半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 23:00:00

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AO6415规格书详情

General Description

The AO6415 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO6415 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6415L is a Green Product ordering option. AO6415 and AO6415L are electrically identical.

特性 Features

VDS (V) = -20V

ID = -3.3A (VGS = -10V)

RDS(ON) < 75mΩ (VGS = -10V)

RDS(ON) < 100mΩ (VGS = -4.5V)

RDS(ON) < 150mΩ (VGS = -2.5V)

ESD Rating: 2000V HBM

产品属性

  • 型号:

    AO6415

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 20V 3.3A TSOP-6

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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