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AO6415规格书详情
General Description
The AO6415 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO6415 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6415L is a Green Product ordering option. AO6415 and AO6415L are electrically identical.
特性 Features
VDS (V) = -20V
ID = -3.3A (VGS = -10V)
RDS(ON) < 75mΩ (VGS = -10V)
RDS(ON) < 100mΩ (VGS = -4.5V)
RDS(ON) < 150mΩ (VGS = -2.5V)
ESD Rating: 2000V HBM
产品属性
- 型号:
AO6415
- 功能描述:
MOSFET P-CH 20V 3.3A TSOP-6
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
-
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/万代 |
24+ |
NA/ |
1700 |
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询价 | ||
AOS |
2016+ |
SOT23-6 |
6000 |
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AOS/万代 |
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TSOP-6 |
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AO |
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TSOP-6 |
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ALPHA |
2019 |
SOT23-6 |
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AOS/万代 |
24+ |
SOT23 |
990000 |
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AOS |
16+ |
SOT23 |
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AOS/万代 |
22+ |
TSOP-6L |
25000 |
AOS/万代全系列在售 |
询价 | ||
AOS/万代 |
23+ |
TSOP-6 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
AOS/万代 |
23+ |
SOT23-6 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 |