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厂商型号

AO6408

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

143.89 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

AOSMD

中文名称

万国半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-9 16:04:00

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AO6408规格书详情

General Description

The AO6408 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It offers operation over a wide gate drive range from 1.8V to 12V. It is ESD protected. This device is suitable for use as a load switch. Standard product AO6408 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6408L is a Green Product ordering option. AO6408 and AO6408L are electrically identical.

特性 Features

VDS (V) = 20V

ID = 8.8A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 18mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON) < 20mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 25mΩ (VGS = 2.5V)

RDS(ON) < 32mΩ (VGS = 1.8V)

ESD Rating: 2000V HBM

产品属性

  • 型号:

    AO6408

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 20V 8.8A 6-TSOP

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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