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厂商型号

AO6408L

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

143.89 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

AOSMD

中文名称

万国半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-29 23:00:00

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AO6408L规格书详情

General Description

The AO6408 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It offers operation over a wide gate drive range from 1.8V to 12V. It is ESD protected. This device is suitable for use as a load switch. Standard product AO6408 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6408L is a Green Product ordering option. AO6408 and AO6408L are electrically identical.

特性 Features

VDS (V) = 20V

ID = 8.8A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 18mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON) < 20mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 25mΩ (VGS = 2.5V)

RDS(ON) < 32mΩ (VGS = 1.8V)

ESD Rating: 2000V HBM

产品属性

  • 型号:

    AO6408L

  • 制造商:

    AOSMD

  • 制造商全称:

    Alpha & Omega Semiconductors

  • 功能描述:

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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