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NTD6415ANL	文件：299.28 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 52mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.28 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD6415ANL	文件：265.45 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 56 m廓, Logic Level 文件：265.45 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD6415ANL	文件：78.19 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：78.19 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD6415ANL	文件：127.16 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 56 m Logic Level 文件：127.16 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD6415ANLT4G	文件：2.93914 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 100V, ID= 30 A RDS(ON) 文件：2.93914 Mbytes 页数：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
NTD6415ANL_16	文件：78.19 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：78.19 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD6415ANLT4G	文件：127.16 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 56 m Logic Level 文件：127.16 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD6415ANLT4G	文件：984.03 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：984.03 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTD6415ANLT4G	文件：78.19 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：78.19 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD6415ANLT4G	文件：265.45 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 56 m廓, Logic Level 文件：265.45 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
23
PD Max (W)：
83
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
56
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
52
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
35
Ciss Typ (pF)：
1024
Package Type：
DPAK-3

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