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AO4932	文件：2.43366 Mbytes Page：8 Pages	Marking：4932；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET ■Features N-Channel1 ●VDS(V)=30V ●ID=11A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4932	文件：153.56 Kbytes Page：8 Pages	Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4932usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDC-DCconverters.AmonolithicallyintegratedSchottkydiodeinparallelwiththe	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4932	文件：503.33 Kbytes Page：9 Pages	Asymmetric Dual N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4932_11	文件：503.33 Kbytes Page：9 Pages	Asymmetric Dual N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
BD4932	文件：507.55 Kbytes Page：18 Pages	StandardCMOSVoltageDetectorIC Description ROHM’sBD48□□G/FVEandBD49□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICseries.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,sothattheseriesmaybesel	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD4932	文件：433.03 Kbytes Page：18 Pages	StandardCMOSVoltageDetectorIC Description ROHM’sBD48□□G/FVEandBD49□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICseries.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,sothattheseriesmaybesel	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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详细参数

型号：
AO4932
功能描述：
MOSFET DUAL N-CH 30V 9A ASYM SO8
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
SRFET™
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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