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AO4468	文件：358.51 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AO4468；Package：SOP-8；30V N-Channel MOSFET Features VDS (V) =30V ID = 10.5A (VGS =10V) RDS(ON) 文件：358.51 Kbytes 页数：7 Pages	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4468	文件：358.51 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AO4468；Package：SOP-8；30V N-Channel MOSFET Features VDS (V) =30V ID = 10.5A (VGS =10V) RDS(ON) 文件：358.51 Kbytes 页数：7 Pages	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4468L	文件：147.82 Kbytes Page：4 Pages	丝印：4468；Package：SO-8；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4468 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS 30V I 文件：147.82 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4468L	文件：255.8 Kbytes Page：5 Pages	丝印：4468；Package：SO-8；30V N-Channel MOSFET 文件：255.8 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4468	文件：2.26868 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Application « Reverse Battery protection » Load switch o Power management PWM Application 文件：2.26868 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
AO4468	文件：1.0065 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch 文件：1.0065 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4468	文件：147.82 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4468 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS 30V I 文件：147.82 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4468	文件：2.1917 Mbytes Page：5 Pages	30V N-Channel MOSFET General Description The AO4468 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS 30V ID (at VGS=10 文件：2.1917 Mbytes 页数：5 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4468	文件：1.33332 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 10.5 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.33332 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4468-HF	文件：1.73103 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 10.5 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.73103 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

详细参数

型号：
AO4468
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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