60R芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

首页 >芯片丝印>60R

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
TP6001R-TR	文件：944.57 Kbytes Page：17 Pages	Marking：60R；Package：5-PinSOT23；1MHz, 80關A, RRIO, Op Amps	3PEAK3PEAK INC. 思瑞浦思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司	3PEAK
IGLD60R190D1	文件：500.23 Kbytes Page：17 Pages	Marking：60R190D1；Package：PG-LSON-8-1；600V CoolGaN??enhancement-mode Power Transistor Features Enhancementmodetransistor–NormallyOFFswitch Ultrafastswitching Noreverse-recoverycharge Capableofreverseconduction Lowgatecharge,lowoutputcharge Superiorcommutationruggedness QualifiedforindustrialapplicationsaccordingtoJEDEC Standards(JESD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGLR60R190D1	文件：498.44 Kbytes Page：16 Pages	Marking：60R190D1；Package：PG-TSON-8-6；600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor Features Enhancementmodetransistor–NormallyOFFswitch Ultrafastswitching Noreverse-recoverycharge Capableofreverseconduction Lowgatecharge,lowoutputcharge Superiorcommutationruggedness QualifiedforindustrialapplicationsaccordingtoJEDEC Standards(JESD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGLR60R260D1	文件：516.08 Kbytes Page：16 Pages	Marking：60R260D；Package：PG-TSON-8-7；600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor Features Enhancementmodetransistor–NormallyOFFswitch Ultrafastswitching Noreverse-recoverycharge Capableofreverseconduction Lowgatecharge,lowoutputcharge Superiorcommutationruggedness QualifiedforindustrialapplicationsaccordingtoJEDEC Standards(JESD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGLR60R340D1	文件：520.62 Kbytes Page：16 Pages	Marking：60R340D；Package：PG-TSON-8-7；600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor Features Enhancementmodetransistor–NormallyOFFswitch Ultrafastswitching Noreverse-recoverycharge Capableofreverseconduction Lowgatecharge,lowoutputcharge Superiorcommutationruggedness QualifiedforindustrialapplicationsaccordingtoJEDEC Standards(JESD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGO60R042D1	文件：573.53 Kbytes Page：16 Pages	Marking：60R042D1；Package：PG-DSO-20-85；600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor Features •Enhancementmodetransistor–NormallyOFFswitch •Ultrafastswitching •Noreverse-recoverycharge •Capableofreverseconduction •Lowgatecharge,lowoutputcharge •Superiorcommutationruggedness •QualifiedforindustrialapplicationsaccordingtoJEDEC Standards(JESD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGOT60R042D1	文件：638.14 Kbytes Page：16 Pages	Marking：60R042D1；Package：PG-DSO-20-87；600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor Features •Enhancementmodetransistor–NormallyOFFswitch •Ultrafastswitching •Noreverse-recoverycharge •Capableofreverseconduction •Lowgatecharge,lowoutputcharge •Superiorcommutationruggedness •QualifiedforindustrialapplicationsaccordingtoJEDEC Standards(JESD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGOT60R070D1	文件：536.93 Kbytes Page：17 Pages	Marking：60R070D1；Package：PG-DSO-20-87；600V CoolGaN??enhancement-mode Power Transistor Features Enhancementmodetransistor–NormallyOFFswitch Ultrafastswitching Noreverse-recoverycharge Capableofreverseconduction Lowgatecharge,lowoutputcharge Superiorcommutationruggedness QualifiedforindustrialapplicationsaccordingtoJEDEC Standards(JESD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGT60R042D1	文件：553.39 Kbytes Page：16 Pages	Marking：60R042D1；Package：PG-HSOF-8-3；600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor Features Enhancementmodetransistor–NormallyOFFswitch Ultrafastswitching Noreverse-recoverycharge Capableofreverseconduction Lowgatecharge,lowoutputcharge Superiorcommutationruggedness QualifiedforindustrialapplicationsaccordingtoJEDEC Standards(JESD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGT60R190D1	文件：544.95 Kbytes Page：16 Pages	Marking：60R190D1；Package：PG-HSOF-8-3；600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor Features Enhancementmodetransistor–NormallyOFFswitch Ultrafastswitching Noreverse-recoverycharge Capableofreverseconduction Lowgatecharge,lowoutputcharge Superiorcommutationruggedness QualifiedforindustrialapplicationsaccordingtoJEDEC Standards(JESD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
60R
功能描述：
存储箱与外壳 4-7/8 x 5-1/8 x 2 Red
RoHS：
否
制造商：
Tektronix
颜色：
Black
材料：
Polypropylene
尺寸：
23.25 in L x 20.75 in W x 9 in H

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	60R		24+		2580		询价
深圳市永贝尔科技有限公司	60R	LITTELFUSE	23+	NA	25060	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市正迈科技有限公司	60R110XMR	LITTELFUSE	23+	NA	28520	原厂授权代理分销现货只做原装正迈科技样品支持现货	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	60R010XU	LITTLEFUSE	24+	原厂原装	3000	原装正品	询价
深圳市凌旭科技有限公司	60RF-JMCS-G-1-TF(LF)(SN)	JST	2016+	CONNECTOR	43000	只做原装,假一罚十,公司专营进口连接器!	询价
上海意淼电子科技有限公司	60R010XPR	TI	23+	DIP	80000	全新原装假一赔十	询价
上海金庆电子技术有限公司	60R050XU	LITTELFUSE	新		4	全新原装货期两周	询价
深圳市振宏微科技有限公司	60RGTSMB568932	CHINAXYJ	23+	SMD	9868	专做原装正品,假一罚百!	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	60R580P	MAG	25+23+	TO252	74477	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	60R050XPR	LITTELFU	1815+	DIP	6528	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!	询价

更多60R供应商更新时间2025-5-25 16:30:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号