丝印：60R015F7；Package：PG-HDSOP-22；MOSFET 600V CoolMOSª CFD7 Power Transistor

Features • Ultra-fast body diode • Low gate charge • Best-in-class reverse recovery charge (Qrr) • Improved MOSFET reverse diode dv/dt and diF/dt ruggedness • Lowest FOM RDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss • Best-in-class RDS(on) in SMD and THD packages Benefits • Excellent hard commutation rugg

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Infineon

英飞凌

英飞凌对谐振高功率拓扑的回答

600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET 采用了英飞凌的高压超结 MOSFET 技术，集成了快速体二极管，是CoolMOS™ 7系列的新一代产品。CoolMOS ™ CFD7 具有降低的栅极电荷 (Qg)、改善的关断行为和与竞争产品相比低高达 69% 的反向恢复电荷 (Qrr)，以及市场上最低的反向恢复时间 (trr)。 • CoolMOS ™ 7 系列\n• 低栅极电荷\n• 低存储能量 COSS\n• 低 Qrr\n• 经过现场验证的 CoolMOS ™质量\n• 自 1998 年以来的 CoolMOS ™;

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