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IPDQ60R015CFD7中文资料英飞凌对谐振高功率拓扑的回答数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPDQ60R015CFD7

功能描述

英飞凌对谐振高功率拓扑的回答

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-29 22:59:00

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IPDQ60R015CFD7规格书详情

描述 Description

600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET 采用了英飞凌的高压超结 MOSFET 技术,集成了快速体二极管,是CoolMOS™ 7系列的新一代产品。CoolMOS ™ CFD7 具有降低的栅极电荷 (Qg)、改善的关断行为和与竞争产品相比低高达 69% 的反向恢复电荷 (Qrr),以及市场上最低的反向恢复时间 (trr)。

特性 Features

• CoolMOS ™ 7 系列
• 低栅极电荷
• 低存储能量 COSS
• 低 Qrr
• 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
• 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

技术参数

  • 制造商编号

    :IPDQ60R015CFD7

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IDpulsmax

    :495 A

  • Ptotmax

    :657 W

  • QG

    :251 nC

  • QG(typ @10V)

    :251 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :15 mΩ

  • RDS (on)max

    :15 mΩ

  • VDSmax

    :600 V

  • VGS(th)

    :4 V

  • Mounting

    :SMT

  • Package

    :Q-DPAK

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 150 °C

  • Polarity

    :N

  • Budgetary Price €/1k

    :9.61

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