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IPDQ60R016CM8	文件：1.23931 Mbytes Page：14 Pages	丝印：60R016C8；Package：PG-HDSOP-22；MOSFET 600V CoolMOSª CM8 Power Transistor Features • Suitable for hard and soft switching topologies thanks to an outstanding commutation ruggedness • Significant reduction of switching and conduction losses • Best in class RDS(on) per package products enabled by ultra low RDS(on)*A Benefits • Ease of use and fast design-in throug 文件：1.23931 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP60R016CM8	文件：1.19581 Mbytes Page：14 Pages	丝印：60R016C8；Package：PG-TO220-3；MOSFET 600V CoolMOSª CM8 Power Transistor Features • Suitable for hard and soft switching topologies thanks to an outstanding commutation ruggedness • Significant reduction of switching and conduction losses • Best in class RDS(on) per package products enabled by ultra low RDS(on)*A Benefits • Ease of use and fast design-in throug 文件：1.19581 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPT60R016CM8	文件：1.40138 Mbytes Page：14 Pages	丝印：60R016C8；Package：PG-HSOF-8；MOSFET 600V CoolMOSª CM8 Power Transistor Features • Suitable for hard and soft switching topologies thanks to an outstanding commutation ruggedness • Significant reduction of switching and conduction losses • Best in class RDS(on) per package products enabled by ultra low RDS(on)*A Benefits • Ease of use and fast design-in throug 文件：1.40138 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPW60R016CM8	文件：1.42123 Mbytes Page：14 Pages	丝印：60R016C8；Package：PG-TO247-3；MOSFET 600V CoolMOSª CM8 Power Transistor Features • Suitable for hard and soft switching topologies thanks to an outstanding commutation ruggedness • Significant reduction of switching and conduction losses • Best in class RDS(on) per package products enabled by ultra low RDS(on)*A Benefits • Ease of use and fast design-in throug 文件：1.42123 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPZA60R016CM8	文件：1.2472 Mbytes Page：14 Pages	丝印：60R016C8；Package：PG-TO247-4；MOSFET 600V CoolMOSª CM8 Power Transistor Features • Suitable for hard and soft switching topologies thanks to an outstanding commutation ruggedness • Significant reduction of switching and conduction losses • Best in class RDS(on) per package products enabled by ultra low RDS(on)*A Benefits • Ease of use and fast design-in throug 文件：1.2472 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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