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2SC5179-T2	文件：57.84 Kbytes Page：12 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SMALL MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES • Low current consumption and high gain \|S21e\|2 = 9 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz \|S21e\|2 = 8.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz • Small Mini-Mold package EIAJ: SC-70 文件：57.84 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5179-T2	文件：189.1 Kbytes Page：14 Pages	SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SMALL MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION 文件：189.1 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5180	文件：54.28 Kbytes Page：8 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES • Low current consumption and high gain \|S21e\|2 = 12 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz \|S21e\|2 = 11 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz • Supper Mini-Mold package 文件：54.28 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5180	文件：278.4 Kbytes Page：9 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 4-PIN SUPER MINIMOLD 文件：278.4 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5180-T1	文件：278.4 Kbytes Page：9 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 4-PIN SUPER MINIMOLD 文件：278.4 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5181	文件：1.15205 Mbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION 文件：1.15205 Mbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5181	文件：50.86 Kbytes Page：8 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES • Low current consumption and high gain \|S21e\|2= 10.5 dBTYP.@ VCE= 2 V, IC= 7 mA, f = 2 GHz \|S21e\|2= 9.0 dBTYP.@VCE= 1 V, IC= 5 mA, f = 2 GHz • Ultra Super Mini-Mold package 文件：50.86 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5181-T1	文件：50.86 Kbytes Page：8 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES • Low current consumption and high gain \|S21e\|2= 10.5 dBTYP.@ VCE= 2 V, IC= 7 mA, f = 2 GHz \|S21e\|2= 9.0 dBTYP.@VCE= 1 V, IC= 5 mA, f = 2 GHz • Ultra Super Mini-Mold package 文件：50.86 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5181-T1	文件：1.15205 Mbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION 文件：1.15205 Mbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5182	文件：187.63 Kbytes Page：14 Pages	SILICON TRANSISTOR NPS EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION 文件：187.63 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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晶体管资料

型号：
2SC5178(R)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_SHF
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
5V
最大电流允许值：
0.01A
最大工作频率：
10.5GHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
2SC4993,2SC5078,2SC5097,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-17
vtest：
5
htest：
10500000000
atest：
0.01
wtest：
0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市振宏微科技有限公司	2SC5178	SOT-143	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SC5178-FB	TOSHIBA	24+		60000		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SC5178R		23+	SOT143	98650	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市旺财半导体有限公司	2SC5178(R)	TOS	23+	TO	20000	正品原装货价格低	询价
深圳市鹏和科技有限公司	2SC5179	NEC	24+		5000	只做原装公司现货	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	2SC5179	NEC	1922+	SOT-323	35689	原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SC5179	NEC	23+	SOT-323SC-70	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SC5179	RENESAS/瑞萨	20+	SOT-323	120000	只做原装可免费提供样品	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	2SC5179	NK/南科功率	2025+	SOT-323	986966	国产	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	2SC5179	RENESAS/瑞萨	2511	SOT-323	360000	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价

更多2SC51供应商更新时间2026-3-10 17:36:00

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