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2SC5179-T2	文件：57.84 Kbytes Page：12 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SMALL MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES • Low current consumption and high gain \|S21e\|2 = 9 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz \|S21e\|2 = 8.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz • Small Mini-Mold package EIAJ: SC-70 文件：57.84 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5179-T2	文件：189.1 Kbytes Page：14 Pages	SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SMALL MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION 文件：189.1 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5193-T1-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT323	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SC5195-T1-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT343	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SC5198	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-3PN	MOT/仁懋上传：深圳广友电子有限公司	MOT/仁懋

更多2SC5179-T2供应商更新时间2026-1-29 16:30:00