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2SC5198	文件：155.2 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min) • Complementary to 2SA1941 • Suitable for use in 70-W high fidelity audio amplifier’s output stage 文件：155.2 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5198	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5198	文件：155.2 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min) • Complementary to 2SA1941 • Suitable for use in 70-W high fidelity audio amplifier’s output stage 文件：155.2 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5198	文件：147.83 Kbytes Page：2 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min) • Complementary to 2SA1941 • Suitable for use in 70-W high fidelity audio amplifier’s output stage 文件：147.83 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5198	文件：303.07 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Min) @IC= 7A • Good Linearity of hFE • Complement to Type 2SA1941 APPLICATIONS • Power amplifier applications • Recommend for 70W high fidelity audio frequency amplifier output stage applications 文件：303.07 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5198	文件：368.52 Kbytes Page：2 Pages	TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low Collector Saturation Voltage ● Good Linearity of hFE APPLICATIONS ● Power Amplifier Applications ● Recommend for 70W High Fidelity Audio Frequency Amplifier Output Stage Applications 文件：368.52 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC5198	文件：238.92 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications FEATURES ● High collector voltage˖ VCEO=140V (min) ● Complementary to 2SA1941 ● Recommended for 70-W high-fidelity audio frequency amplifier output ● RoHS product APPLICATIONS ● Power Amplifier Applications 文件：238.92 Kbytes 页数：5 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SC5198	文件：169.29 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3P(I) package • Complement to type 2SA1941 APPLICATIONS • Power amplifier applications • Recommend for 70W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：169.29 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC5198	文件：949.79 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-3P Plastic Package. Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-3P Plastic Package. Features Recommend for 70W high fidelity audio frequency amplifier output stage, Complementary to 2SA1941. Applications Power amplifier applications. 文件：949.79 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC5198	文件：171.01 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：171.01 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

晶体管资料

型号：
2SC5198
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_HIFI_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
140V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD245D,2SC2706,2SC2837,2SC3182,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
B-46
vtest：
140
htest：
30000000
atest：
10
wtest：
100

技术参数

Polarity：
NPN
Features：
Power Amps Output Stage
VCEO(Max)(V)：
140
IC(Max)(A)：
10
hFE(Min)：
55
hFE(Max)：
160
VCE(sat)(Max)(V)：
2.0
fT(Typ.)(MHz)：
30
ComplementaryProduct：
2SA1941
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name：
TO-3P(N)
Width×Length×Height(mm)：
15.5 x 20.0 x 4.5

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