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2SC5191 | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES •LowVoltageOperation,LowPhaseDistortion •LowNoise NF=1.5dBTYP.@VCE=3V,IC=7mA,f=2GHz NF=1.7dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •LargeAbsoluteMaximumCollectorCurrent IC=100mA •MiniMoldPackage EIAJ:SC-59 | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | NEC | |
2SC5191 | Low Voltage Operation ,Low Phase Distortion DESCRIPTION •LowVoltageOperation,LowPhaseDistortion •LowNoise NF=1.5dBTYP.@VCE=3V,IC=7mA,f=2GHz NF=1.7dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •LargeAbsoluteMaximumCollectorCurrent IC=100mA APPLICATIONS •Designedforuseinlow-noiseandsmalls | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
2SC5191 | NPN SILICON RF TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTOR FORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION 3-PINMINIMOLD FEATURES •LowVoltageOperation,LowPhaseDistortion •LowNoise NF=1.5dBTYP.@VCE=3V,IC=7mA,f=2GHz NF=1.7dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •LargeAbsoluteMaximum | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES •LowVoltageOperation,LowPhaseDistortion •LowNoise NF=1.5dBTYP.@VCE=3V,IC=7mA,f=2GHz NF=1.7dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •LargeAbsoluteMaximumCollectorCurrent IC=100mA •MiniMoldPackage EIAJ:SC-59 | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | NEC | ||
NPN SILICON RF TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTOR FORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION 3-PINMINIMOLD FEATURES •LowVoltageOperation,LowPhaseDistortion •LowNoise NF=1.5dBTYP.@VCE=3V,IC=7mA,f=2GHz NF=1.7dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •LargeAbsoluteMaximum | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES •LowVoltageOperation,LowPhaseDistortion •LowNoise NF=1.5dBTYP.@VCE=3V,IC=7mA,f=2GHz NF=1.7dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •LargeAbsoluteMaximumCollectorCurrent IC=100mA •MiniMoldPackage EIAJ:SC-59 | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | NEC |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
表面帖装型 （SMD）_超高频/特高频 （UHF）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
9V
- 最大电流允许值：
0.1A
- 最大工作频率：
4GHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
2SC3356,
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-15
- vtest：
9
- htest：
4000000000
- atest：
.1
- wtest：
0
详细参数
- 型号：
2SC5191
- 制造商：
NEC
- 制造商全称：
NEC
- 功能描述：
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
20+ |
SOT-23 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
ON/安森美 |
SOT23 |
7906200 |
询价 | ||||
NEC |
23+ |
SOT23 |
31000 |
全新原装 |
询价 | ||
NEC |
2008++ |
SOT-23 |
12500 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
SANYO |
13+ |
55000 |
特价热销现货库存 |
询价 | |||
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
SOT-23 |
63000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
安森美 |
2002 |
SOP8 |
65000 |
原装正品假一罚万 |
询价 | ||
NEC |
2023+ |
SOT-23 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
询价 | ||
NEC |
2021+ |
SOT-23 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 |
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