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2SC5191	文件：57.88 Kbytes Page：12 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES • Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • Large Absolute Maximum Collector Current IC = 100 mA • Mini Mold Package EIAJ: SC-59 文件：57.88 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5191	文件：219.56 Kbytes Page：9 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD FEATURES • Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • Large Absolute Maximum 文件：219.56 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5191	文件：195.27 Kbytes Page：14 Pages	Low Voltage Operation ,Low Phase Distortion DESCRIPTION • Low Voltage Operation ,Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • Large Absolute Maximum Collector Current IC = 100 mA APPLICATIONS • Designed for use in low-noise and small s 文件：195.27 Kbytes 页数：14 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5191	文件：300 bytes Page：1 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR	Renesas 瑞萨	Renesas
2SC5191-T1	文件：57.88 Kbytes Page：12 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES • Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • Large Absolute Maximum Collector Current IC = 100 mA • Mini Mold Package EIAJ: SC-59 文件：57.88 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5191-T1B	文件：219.56 Kbytes Page：9 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD FEATURES • Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • Large Absolute Maximum 文件：219.56 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5191-T2	文件：57.88 Kbytes Page：12 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES • Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • Large Absolute Maximum Collector Current IC = 100 mA • Mini Mold Package EIAJ: SC-59 文件：57.88 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC

晶体管资料

型号：
2SC5191
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_超高频/特高频（UHF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
9V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
4GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3356,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
9
htest：
4000000000
atest：
0.1
wtest：
0

详细参数

型号：
2SC5191
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SC5191	ON/安森美	20+	SOT-23	120000	原装正品可含税交易	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SC5191	NEC	24+	SOT-23	12500	新进库存/原装	询价
深圳市振宏微科技有限公司	2SC5191	SOT-23	25+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SC5191	NEC	23+	SOT-23	5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SC5191	NEC	2023+	SOT-23	50000	原装现货	询价
深圳市创新迹电子有限公司	2SC5191	ON/安森美	22+	SOT-23	20000	只做原装	询价
深圳市鹏和科技有限公司	2SC5191-T1-A	NEC/RENESAS	24+	SOT23	5000	只做原装公司现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SC5191-T1-A	NEC	20+	SOT23-3	49000	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	2SC5191-T1B-A	RENESA	25+	SOT23	81800	现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SC5191-T1B-A	RENESA	23+	SOT23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多2SC5191供应商更新时间2026-10-12 14:01:00

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