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2SC524	文件：230.76 Kbytes Page：3 Pages	HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS. HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS. REGULATOR APPLICATIONS. FEATURES: • High Breakdown Voltage : VCEO100V (2SC522) : Vceo= 60V (2SC524) • Useful attachment for Heat sink. • Various Uses for Medium Power : Ic=1.5A (Max.), Pc=10W (Max.) 文件：230.76 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5241	文件：508.64 Kbytes Page：12 Pages	Switching Power Transistor(5A NPN) Switching Power Transistor 文件：508.64 Kbytes 页数：12 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SC5241	文件：84.42 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·High voltage,high speed switching APPLICATIONS ·For switching regulator and general purpose applications 文件：84.42 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5241	文件：213.06 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·High voltage,high speed switching APPLICATIONS ·For switching regulator and general purpose applications 文件：213.06 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC5242	文件：174.87 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION · With TO-3P(I) package ·Complement to type 2SA1962 ·High collector voltage: VCEO=230V(Min) APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 80W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：174.87 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC5242	文件：253.07 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Collector Breakdown Voltage-: V(BR)CEO = 230V(Min.) ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SA1962 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 80W high fidelity audio frequency amplifier output stage applications 文件：253.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5242	文件：150.92 Kbytes Page：2 Pages	丝印：C5242；NPN TRIPLE DIFFUSED(FOR POWER AMPLIFIER APLLICATIONS) Power Amplifier Applications • High Collector breakdown voltage: VCEO= 230 V (min) • Complementary to 2SA1962 • Suitable fro use in 80-W high fidelity audio amplifier’s output stage 文件：150.92 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5242	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5242	文件：461.89 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • High Current Capability: IC= 15A • High Power Dissipation : 130watts • High Frequency : 30MHz. • High Voltage : VCEO=230V • Wide S.O.A for reliable operation. • Excellent Gain Linearity for low THD. • Complement to 2SA1962/FJA42 文件：461.89 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2SC5242OTU	文件：461.89 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • High Current Capability: IC= 15A • High Power Dissipation : 130watts • High Frequency : 30MHz. • High Voltage : VCEO=230V • Wide S.O.A for reliable operation. • Excellent Gain Linearity for low THD. • Complement to 2SA1962/FJA42 文件：461.89 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

晶体管资料

型号：
2SC524
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
射频/高频放大（HF）_开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
60MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD139,BD169,BD179,BD230,BD237,BD379,BD441,2SD1177,2SD1178,3DK204B,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
E-36
vtest：
100
htest：
60000000
atest：
1.5
wtest：
10

技术参数

Polarity：
NPN
VCEO(Max)(V)：
230
IC(Max)(A)：
15
hFE(Min)：
55
hFE(Max)：
160
VCE(sat)(Max)(V)：
3.0
fT(Typ.)(MHz)：
30
ComplementaryProduct：
2SA1962
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name：
TO-3P(N)
Width×Length×Height(mm)：
15.5 x 20.0 x 4.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市弘为电子有限公司	2SC524	TOSHIBA	24+	CAN3	5600	原装现货假一罚十	询价
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深圳市旺财半导体有限公司	2SC524		23+	TO	20000	正品原装货价格低	询价
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深圳市恒创达实业有限公司	2SC5248E	ROHM	17+	TO-220F	6200		询价
深圳市利加科技有限公司	2SC5241	FAIRCHILD	16+	TO-3PH	10000	全新原装现货	询价
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更多2SC524供应商更新时间2026-3-10 8:01:00

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