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2SC5242OTU	文件：461.89 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •HighCurrentCapability:IC=15A •HighPowerDissipation:130watts •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=230V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SA1962/FJA42	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC5242OTU	文件：475.12 Kbytes Page：8 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5242OTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 250V 17A TO3P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5242	文件：150.92 Kbytes Page：2 Pages	NPNTRIPLEDIFFUSED(FORPOWERAMPLIFIERAPLLICATIONS) PowerAmplifierApplications •HighCollectorbreakdownvoltage:VCEO=230V(min) •Complementaryto2SA1962 •Suitablefrousein80-Whighfidelityaudioamplifier’soutputstage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5242	文件：122.03 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNTripleDiffusedTypePowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5242	文件：174.87 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3P(I)package ·Complementtotype2SA1962 ·Highcollectorvoltage:VCEO=230V(Min) APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendfor80Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC5242	文件：461.89 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •HighCurrentCapability:IC=15A •HighPowerDissipation:130watts •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=230V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SA1962/FJA42	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC5242	文件：253.07 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighCollectorBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=230V(Min.) ·GoodLinearityofhFE ·ComplementtoType2SA1962 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendfor80Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstageapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC5242	文件：176.54 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC5242	文件：129.139 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC5242	文件：475.12 Kbytes Page：8 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5242	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5242RTU	文件：475.12 Kbytes Page：8 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5242RTU	文件：461.89 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •HighCurrentCapability:IC=15A •HighPowerDissipation:130watts •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=230V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SA1962/FJA42	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

产品属性

产品编号：
2SC5242OTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
TRANS NPN 250V 17A TO3P

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SC5242OTU	onsemi	23+	TO-3P-3,SC-65-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	2SC5242OTU	onsemi(安森美)	23+	TO-3P	928	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市博浩通科技有限公司	2SC5242OTU	Fairchild	23+	TO-3P	7750	全新原装优势	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	2SC5242OTU	Fairchild	07+/08+	TO-3P	128		询价
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深圳市纳立科技有限公司	2SC5242OTU		三年内		1983	纳立只做原装正品13590203865	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	2SC5242OTU	ON/安森美	20+	SMD	450	原装现货	询价
深圳市兴灿科技有限公司	2SC5242OTU	ON/安森美	23+	TO-3P-3	25500	授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售	询价

更多2SC5242OTU供应商更新时间2024-5-2 14:14:00

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