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2SC5585TL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-75，SOT-416 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 12V 0.5A EMT3	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SC5585	文件：69.74 Kbytes Page：3 Pages	Lowfrequencytransistor(12V,0.5A) Thetransistorof500mAclasswhichwentonlyinto2125sizeconventionallywasattainedin1608sizesor1208sizes. Features 1)Highcurrent. 2)LowVCE(sat). VCE(sat)≤250mVatIC=200mA/IB=10mA Applications Forswitching Formuting	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SC5585	文件：168.08 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES •HighCurrent. •LowVCE(sat).VCE(sat)≦0.25V(@IC=200mA/IB=10mA) •Complementof2SC4738. Application •GeneralPurposeAmplification.	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SC5585	文件：35.99 Kbytes Page：1 Pages	LowFrequencyTransistor Features Higcurrent. LowVCE(sat):VCE(sat)250mVatIC=200mA/IB=10mA	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC5585	文件：198.29 Kbytes Page：3 Pages	NPNTRANSISTOR FEATURES: Highcurrent. LowVCE(sat).VCE(sat).250mVatIC=200mA/IB=10mA	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SC5585	文件：204.74 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SC5585	文件：166.7 Kbytes Page：4 Pages	LOWFREQUENCYTRANSISTOR FEATURES ●Highcurrent. ●LowVCE(sat). Applications ●Forswitching. ●Formuting.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC5585	文件：2.97723 Mbytes Page：4 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Highcurrent. ●LowVCE(sat).VCE(sat)≤250mVatIC=200mA/IB=10mA	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC5585F	文件：135.75 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES LowVCE(sat)-VCE(sat)250mVatIC=200mA/IB=10mA HighCurrent	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS

产品属性

产品编号：
2SC5585TL
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 10mA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
270 @ 10mA，2V
频率 - 跃迁：
320MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-75，SOT-416
供应商器件封装：
EMT3
描述：
TRANS NPN 12V 0.5A EMT3

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