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2SC563200L功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极(Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD，扁平引线供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR

产品属性

产品编号：
2SC563200L
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
8V
频率 - 跃迁：
1.1GHz
功率 - 最大值：
150mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 2mA，4V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
S迷你型3-G1
描述：
RF TRANS NPN 8V 1.1GHZ SMINI3-G1