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2SC6096-TD-H	文件：321.61 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Transistor 100V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single PCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocess •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Highallowablepowerdissipation •Halogenfreecompliance Applicaitons •DC/DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motordrivers,inverter	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC6096-TD-H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 2A PCP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC6096	文件：41.4 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorHigh-VoltageSwitchingApplications High-VoltageSwitchingApplications Features •AdoptionofFBET,MBITprocess. •Highcurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •High-speedswitching. •Highallowablepowerdissipation. Applications •DC/DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motordrivers	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC6096	文件：280.26 Kbytes Page：3 Pages	NPNBipolarTransistor DESCRIPTION ·AdoptionofFBET,MBITprocess ·High-speedswitching ·Largecurrentcapacity APPLICATIONS ·DC/DCconverter ·Relaydrivers ·Lampdrivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC6096	文件：321.61 Kbytes Page：6 Pages	BipolarTransistor100V,2A,LowVCE(sat),NPNSinglePCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocess •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Highallowablepowerdissipation •Halogenfreecompliance Applicaitons •DC/DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motordrivers,inverter	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC6096-TD-E	文件：321.61 Kbytes Page：6 Pages	BipolarTransistor100V,2A,LowVCE(sat),NPNSinglePCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocess •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Highallowablepowerdissipation •Halogenfreecompliance Applicaitons •DC/DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motordrivers,inverter	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
2SC6096-TD-H
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
150mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PCP
描述：
TRANS NPN 100V 2A PCP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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